- Заглавие: РЕАЛИЗАЦИЯ СИСТЕМ ОСНОВНОЙ ПАМЯТИ
- Год актуализации: 2013
- УДК: 004 Информационные технологии. Вычислительная техника...
- ББК: 3281 Кибернетика
- Тематики:
ИНФОРМАТИКА
- Биб. карточка:
РЕАЛИЗАЦИЯ СИСТЕМ ОСНОВНОЙ ПАМЯТИ [Архитектура ЭВМ и вычислит. систем: Уч. / Н.В. Максимов -5изд.-М.:Форум:НИЦ ИНФРА-М,2017-512с(ПО)(П)]
- Источник публикации: Архитектура ЭВМ и вычислительных систем: справочник
- Фрагмент статьи: РЕАЛИЗАЦИЯ СИСТЕМ ОСНОВНОЙ ПАМЯТИ Модули памяти характеризуются такими параметрами, как объем (16, 32, 64, 128, 256 или 512 Мбайт), число микросхем, пас- портная частота (100 или 133 МГц), время доступа к данным (нс) и число контактов (72, 168 или 184). В 2001 г. начался выпуск мо- дулей памяти на 1–2 Гбайт. Модули DIP. Микросхемы DRAM упаковываются в так называе- мый DIP-корпус, при этом DIP обозначает Dual In-line Package (корпус с двухрядным расположением выводов). Этот термин от- носится к корпусам памяти, у которых выводы (pins) расположены по бокам (напоминают жука) – рис. 4.10, а. Сам кристалл, на кото- ром размещены ячейки
